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当温度波动较大时,芯片内部的振荡器周期也会发生相应的变化,这可能会导致芯片的时序发生异常;当低温时的时序满足时,高温下由于周期变短,时序可能不满足,芯片无法正常工作;当高温时的时序满足时,低温下由于周期变长,时序出现冗余,可能会导致功耗等增加。
为了解决上述问题,可以通过设置温度检测电路控制NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压的高低,使环形振荡器的振荡频率不随环境温度的高低而变化,现有的温度检测电路一般只有一路,可以控制NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压升高或降低。
但是,根据环境温度的实际变化,对NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压升高或降低的程度却无法控制(即只能实现粗调),不能满足使用要求。
社区人员
1、首先常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,温度的改变对半导体的导电能力、极限电压、极限电流以及开关特性等都有很大的影响。2、其次一个芯片往往包含了数百万甚至上千万个晶体管以及其他元器件,每一点小小的偏差的累加可能造成半导体外部特性的巨大影响。3、最后如果温度过低,往往会造成芯片在额定工作电压下无法打开其内部的半导体开关,导致其不能正常工作。
中药加热过程之中需要把握好温度的控制,一般在六十到七十摄氏度即可了。
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当温度波动较大时,芯片内部的振荡器周期也会发生相应的变化,这可能会导致芯片的时序发生异常;当低温时的时序满足时,高温下由于周期变短,时序可能不满足,芯片无法正常