硕士博士毕业论文—自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究摘要第1-6页ABSTRACT第6-11页第一章绪论第11-45页1.1引言第11-15页1.2超宽禁带半导体材料Ga2O3的物性第15-20页
微纳结构薄膜生长形貌与特性计算.林恩宇莫云杰江绍基.【摘要】：从微观尺度上探讨微纳结构薄膜的生长机理,对于理解其生长过程、控制生长条件、提高薄膜质量以及开发新性薄膜器件具有重要的理论和应用意义。.在研究薄膜生长的过程中,由于...
最新博士论文—《自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究》摘要第1-6页ABSTRACT第6-11页第一章绪论第11-45页1.1引言第11-15页1.2超宽禁带半导体材料Ga2O3的物性第15-20页
氮化铝薄膜生长动力学模型与模拟研究.本文选题：氮化铝+金属有机物化学气相淀积；参考：《西安电子科技大学》2015年硕士论文.【摘要】：AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐...
钙钛矿单晶薄膜的生长与器件研究[北京大学博士研究生学位论文邓玉豪]已有1665次阅读2020-10-2310:31|系统分类:论文交流|钙钛矿,单晶薄膜,光电探测器,空间限制生长法,疏水处理
钙钛矿单晶薄膜的生长与器件研究[北京大学博士研究生学位论文邓玉豪]已有1397次阅读2020-10-2310:31|系统分类:论文交流|钙钛矿,单晶薄膜,光电探测器,空间限制生长法,疏水处理
【摘要】：以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式和通信优化策略进行负载平衡并降低通信开销,实现了…
二维半导体材料因其特殊的光学和电学性质，吸引了众多关注，并广泛应用于柔性电子器件、光电器件和自旋量子器件。MoS2由于容易存在硫空穴而显示n型半导体特性。传统化学气相沉积方法（CVD）生长的单原子层MoS2一般采用MoO3与硫粉的高温...
2.2.2微弧氧化膜形成与生长机理第17-23页2.2.3微弧氧化膜层结构及生长特点第23-24页2.2.4微弧氧化过程中的电极反应第24-25页2.3影响微弧氧化的因素第25-30页2.3.1电解液体系第25-28页2.3.2电参数第28-29页2.3.3氧化时间
反应磁控溅射法氮化铝钪薄膜.为了出压电性能良好、c轴择优生长的氮化铝钪压电薄膜,本文利用脉冲直流反应磁控溅射法了几组氮化铝钪薄膜,通过控制变量,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和压电系数测试仪等测试设备,研究了气体流量、功率...
农用聚乙烯薄膜的性能及发展2.1保温性塑料棚膜保温性能的优劣直接关系到植物生长的好坏,因此,要保持塑料棚内的温度...经压延成型制膜,所制软质PVC农用大棚薄...
国内图书分类号:TN304.055国际图书分类号:621.315工学硕士学位论文薄膜生长过程及表面形貌演化研究硕士研究生:景涛导师:李美成教授申请学位:工学硕士学科、专业...
本文的工作重点是探索更为灵活、廉价的ZnSe薄膜技术。采用较为简单的热壁外延法,在420℃的低温下,在Si衬底上生长了ZnSe薄膜。提高生长温度到700℃以上,得到了较高的薄膜...
10宋晨路,刘涌,韩高荣;薄膜生长初期多原子移动影响的模拟[J];浙江大学学报(理学版);2003年03期中国博士学位论文全文数据库前9条1刘富生;二维原子团簇在典型金...
激光能量密度约为120mJ/cm2,平均功率为9.0×104w/cm2,激光以45°入射角射到PZT靶材上,聚焦后光斑面积约为3mm2,PZT靶材与Si(100)衬底相距6cm,为了使激光不致照射...
【摘要】:本论文针对不同基底上,薄膜生长初期的特性进行一些模拟研究,主要由两部分内容构成:一是(001)基底上的岛形貌由紧致向枝晶生长转变的新现象;二是Ag(110)和Cu(110)基底上的条形岛生长特性研...
电子科技大学博士学位论文氧化物铁电薄膜生长与界面控制方法研究姓名:魏贤华申请学位级别:博士专业:材料物理与化学指导教师:李言荣0051101摘要钙钛矿结构的铁电...