采用Gd+011顶部籽晶熔渗生长（top-seededinfiltrationandgrouth，TSIG）技术，成功出一组直径30mm、籽晶数不同的GdBCO超导块材。根据AutoCAD绘制的关于多籽晶样品晶界变化图，推测样品的磁悬浮力大小与样品的晶界和亚畴界有关，样品的晶界和亚畴界越多，感应环流越不易通过，样品的超导性能就越差。
此外，籽晶直径必须为所需晶片直径再加上0.5到I英寸(由于生长过程中晶体边缘径向温梯较大以及内衬边缘的干扰，晶体边缘质量较差，要得到高质量的晶体和晶片就需要在过程去除边缘质量差的部分，根据晶体尺寸不同选择0.5到I英寸，所需晶体尺寸越大，那么籽晶的尺寸就需要相应的增加越...
摘要：采用顶部籽晶熔渗生长（top-seededinfiltrationandgrowth，TSIG）法成功0.5%CeO2掺杂SmBCO超导块材，其直径为20mm、厚度为10mm.研究样品在不同外加磁场条件下所能捕获的捕获磁场大小和捕获磁场对样品磁悬浮性能的影响。
碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究.中国期刊网qikanchina.net碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究河北同光晶体有限公司，河北保定071000摘要:为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体...
部件规格籽晶软轴最大行程：约3400mm提升速度：低速…0.2～8mm/min：高速…400mm/min旋转速度(CW)：2～30rpm可拉制单晶硅晶体重量：100kg以下晶体旋转轴：磁性流体籽晶提升装置卷线轴：磁性流体观察窗：一处线：材质：钨钼合金直径：约1
高质量DKDP晶体生长及其电光性质研究,高质量DKDP晶体生长,点状籽晶,溶液稳定性,电光性能。本文主要研究了溶液稳定性的影响因素,溶液纯度和生长速度对晶体质量的影响以及DKDP晶体生长的具体生长工艺。此外还介绍了D...
坩埚下降法生长氟化镁晶体，有时候会遇到炉子不稳定的情况生长出多晶晶体，有时候不动再次生长又是单晶，一般在籽晶部分没啥问题，问题基本都出在从籽晶部分长出后圆锥放肩的部分，等到等径部分一般就没啥问题了。有些炉子可以稳定的出好多块单晶，有的炉子出单晶多晶概率在一半一半...
晶体提拉法的创始人是J.Czochralski，他的论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），如图1，能
本专利技术资料公开了一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法，装置包括石墨盖和石墨坩埚；石墨盖下方设置有圆洞；圆洞内设置有环状沟槽；环状沟槽用来固定石墨夹持支架；石墨夹持支架的一端与石墨盖固定连接，另一端用来夹持固定籽晶片；石墨夹持支架采用6组～12组以对称排列...
Vol.10No.13July2017中国科技论文在线精品论文1501晶和多籽晶GdBCO超导块材晶态形貌及其对超导性能的影响，根据图1所示的单畴REBCO晶体的特征，采用AutoCAD软件，在籽晶晶向、间距、夹角都相同的情况下，绘制出单籽晶和多籽晶
图下籽晶时结晶区的等温线圈山东大学硕士学位论文由于此时籽晶直径很小约为它旋转引起的对流影响很小可以忽略不计。此时熔体中的对流形式以自然对流为...
性能测试结果表明,点状籽晶全方位生长的DKDP晶体的激光损伤阈值约为5GW/cm~2、半波电压约为4kV、动态消光比约为1600:1,发现与传统方法生长晶体的性能没有明显的差别。点状籽...
4.结论籽晶的{100}以及{111}面的拉长,并不能生长出含相同拉长比例晶面的晶体,只是在晶体的整体形貌上有细微的差别体现,决定晶体整体形貌以及各晶面规则化程度主要与生长温度有关,...
西北工业大学硕十学位论文考虑了包括坩埚形状、温场分布等因素我们认为采用底部籽晶法生长晶体时通常会出现以下问题由于晶体固态下热导率较低生长初始阶...
内容提示:ZnO纳米线阵列的籽晶控制生长及其紫外探测性能张雯1,贺永宁2,张庆腾2,崔吾元2,侯洵2(1.西安交通大学理学院,西安710049;2.西安交通大学电信...
与目标大直径尺寸SiC籽晶的形状一致;/(3)在第一层籽晶的小直径SiC籽晶之间的缝隙上方再粘结固定第二层籽晶,使第二层籽晶覆盖第一层籽晶形成的缝隙,形成双层拼接排列籽晶;...
ZnO纳米线阵列的籽晶控制生长及其紫外探测性能.pdf,第38卷第1期硅酸盐学报V01.38,No.12010年1月J()IⅡtNAI,OFTHECHINESECERAMlCSOCIETYJanuary,2010ZnO纳...
《中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集》2008年收藏|手机打开SiC晶体生长中籽晶缺陷的延伸及抑制梁鹏陈治明林生晃蒋东谢华杰【摘要】:对...
材料专业论文尺寸cd1xznxte晶体籽晶垂直布里奇曼法生长技术性能表征资源描述:摘要摘要CdlZnJ-e(CZT)晶体是迄今制造室温x射线及...