中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
横向外延技术的理论分析与两步生长法的实验研究。声明：本人论文均为可编辑的文本格式，请放心下载使用。北京邮电大学硕士学位论文摘要横向外延技术的理论分析与两步生长法的实验研究摘要本论文的研究工作是围绕以任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目...
本论文着眼提升深紫外半导体激光器的性能,展开了优化激光器外延结构的研究。本论文主要研究内容和创新点如下:1.以减少深紫外半导体激光器的电子泄漏,提升载流子辐射复合速率为出发点,提出了双锥型电子阻挡层的优化方案。
图4II型MoS2/WS2SLs中的谷极化中间层激发。综上所述，研究者报道了利用ML-by-ML异质外延技术，实现了周期可调vdW半导体SLs的生长。研究者验证了SLs中vdW异质界面上的相干原子堆积顺序。
半导体技术发展过程中的基本分析.摘要：随着科技的不断创新和发展,半导体技术也取得了显著的发展成果,特别是半导体晶体管得到了非常广泛的运用,已经有越来越多的人们投入到了半导体技术相关的工作中。自从半导体技术的出现到现在,它已经逐渐渗透...
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
优秀博士论文库—《852nm半导体激光器结构设计与外延生长》摘要第1-7页Abstract第7-10页目录第10-14页第1章绪论第14-22页·半导体激光器简介
范德华外延技术为各种材料的单片集成提供了一种肥沃的游乐场，可用于先进的电子和光电子。最近，中国科学院半导体研究所ZhiqiangLiu联合北京大学engGao和ZhongfanLiu等人在国际知名期刊“ScienceAdvances"发表题为“VanderWaalsepitaxyofnearlysingle-crystallinenitridefilmsonamorphousgraphene-glasswafer”的...
ZnO基磁性半导体外延生长、磁性、输运和光致发光谱研究,自旋电子学,磁性半导体,ZnO,ZnMnO,ZnCoO。几十年以来,自旋电子学一直是凝聚态物理、信息科学以及新材料科学等领域的研究人员共同关注的研究热点。自旋电子学是一门通过同...
卤化物气相外延作为半导体工业中广泛应用的非有机气相外延技术，具有很高的生长速率，也可以用于大尺寸氧化镓衬底和器件的。南京大学电子科学与工程学院修向前教授详细介绍了卤化物气相外延在氧化镓材料及器件应用方面取得的...
中科院半导体所自主开发的GaN激光器2英寸外延片生产设备,打破了国外关键设备部件的。我国应对大尺寸GaN生长技术、器件及设备继续研究,争取在GaN等第三代半...
许多新型半导体器件是在薄膜上制成的,薄膜的技术也在不断发展。薄膜材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。在半导体产业的发展中,一...
半导体论文”相关信息基于新型半导体制冷技术的除湿效果监测系统设计.doc本课题将围绕可远程操控的智能除湿问题,设计一套可以通过手机APP控制的含有自动控制...
半导体外延层越厚,图形漂移就会越严重。如何控制和解决图形漂移导致光刻对准失效的问题将会是改善和提高半导体外延工艺技术的重点。通过实验研究,我们引入了选择性外延工艺去...
半导体工艺技术.ppt,半导体制造工艺微电子学:Microelectronics微电子学——微型电子学核心——半导体器件半导体器件设计与制造的主要流程框架沟道长度为0...
半导体技术论文高分子材料论文:半导体材料的发展现状在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术喜欢0阅读量:2发明人:冯玉春,郭宝平,牛憨笨...摘要:一种硅单晶衬底上生...
利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状...中国硕士学位论文全文数据库前1条1郭惠;NDLECSIG...
半导体技术论文高分子材料论文半导体材料的发展现状.doc,半导体技术论文高分子材料论文:半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料...
毕业设计论文报告题目半导体光刻工艺技术系别尚德光伏学院专业液晶显示技术与应用班级0801学生姓名学号指导教师2011年4月无锡科技职业学院毕业...