离子注入技术（Implant）——《光电子器件与技术》课程论文学号1081120115姓名张贺专业光信息科学与技术二零一一年十一月摘要离子注入技术是当今半导体行业对半导体进行掺杂的最主要方法。本文从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及一些具体工艺等角度做了较为详细的介绍，同时...
中国科学院上海原子核研究所硕士学位论文基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究姓名：刘华明申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师：徐洪杰2001.6.1硕士论文摘要具有良好光电性能的半导体发光薄膜是光电子信息技术的基石。
半导体工艺离子注入(精).doc.本文来源：文书吧|时间：2021-10-19|浏览：1|页数：8|评分：3.6分|.当前文档.若此文档侵犯了您的权益，请提交您的信息。.盗版或者侵权.若您发现360文库平台上合作方上传的内容，侵犯了您作品的信息网络传播...
有关半导体工艺中离子注入能量的研究.蔡霆.【摘要】：由于集成电路行业的迅猛发展,离子注入由于其工艺干净,控制非常精准,得到了广泛的应用。.随着制造工艺越来越先进,离子注入逐渐在整个工艺当中起到相当重要的作用,它不再是某种离子在某个深度注入...
有关半导体工艺中离子注入能量的研究—硕士毕业论文下载.有关半导体工艺中离子注入能量的研究.论文目录.摘要.第1-4页.Abstract.
离子注入工艺的应用及其影响分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）成都工业学院本科毕业设计（论文）本科毕业设计(论文)论文题目：离子注入工艺的应用及其影响分析PAGE\*MERGEFORMATPAGE\*MERGEFORMATI摘要因...
通过离子注入技术了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所致,退火样品528cm-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明,退火对高剂量注入
半导体制造工艺基础第七章离子注入原理2835keV注入120keV注入半导体制造工艺基础29注入掩蔽层为恰好能够完全阻挡离子的掩膜厚度为离子在掩蔽层中的平均射程，为离子在掩蔽层中的射程标准偏差半导体制造工艺基础第七章离子注入原理解出所需的
离子注入氮化镓光致发光研究-粒子物理与原子核物理专业论文.docx,兰州大学硕士学位论文离子注入氮化镓光致发光研究姓名：林德旭申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师：刘正民20050501原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指导下进行原创…
离子注入技术在半导体器件制造中的广泛应用.【摘要】：正1971年5月在西德召开了半导体离子注入技术的第二届国际会议,根据该会的报导,离子注入技术在半导体器件制造中的用途日益广泛,现综合介绍其用途的几个方面如下:1、离子注入MOS技术。.据美国休斯...
半导体离子注入工艺09电科A柯鹏程0915221019离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子...
(论文)PAGE\*MERGEFORMAT42PAGE\*MERGEFORMAT42引言集成电路芯片工厂在国内外都处于上升阶段,而离子注入在半导体制造环节中又是一个必不可少的环节,...
论文>毕业论文>有关半导体工艺中离子注入能量的研究hstc668分享于2015-06-2806:27:10.0有关半导体工艺中离子注入能量的研究,半导体离子注入机,离子注入...
强束流氮离子注入,强流金属离子注入,浸没离子注入,离子注入是非热平衡过程,离子注入不会引起靶材料的变形,离子注入是一种改变材料表面性质的高度可控技术,高能...
这篇论文主要结合90nm工艺,通过实际实验并分析离子注入能量污染对其影响的大小,来决定整个离子注入工艺的参数设定。随着工艺越来越先进,在65nm,45nm及其以下工艺,离子注入将...
1.3半导体离子注入机集中度高，国产替代空间大技术壁垒和集成度高。离子注入机所在行业具有技术、人才、资金、品牌壁垒，以技术为例，其涉及高压电子、机械、电气、计算机控制、等...
石英玻璃在室温下注入能量为56keV、注量为1×1017cm-2的Ge+离子并退火到900℃。采用X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),吸收光谱和荧光光谱对样品中Ge...
有关半导体工艺中离子注入能量的研究文档格式:.pdf文档页数:44页文档大小:1.82M文档热度:文档分类:论文--毕业论文系统标签:离子注入半导体工艺...
内容提示:2008全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集离子注入Si基稀磁半导体研究欧阳中亮1,郭立平”,黎明1,肿舟1,施训1,艾急伟’,彭挺‘,付德君...
该方法根据离子注入半导体的结构特性采用“等效均匀层”理论测量了离子注入半导体的“等效”电子输运参数,但还不能对离子注入半导体深度方向的不均匀电子输运参数进行有效的...