摘要：III-V族半导体化合物氮化镓(GaN)是第三代直接带隙半导体材料,带隙宽度3.4eV,有耐高温、耐腐蚀、电子迁移率高、良好的化学和热稳定等优点,从而被广泛应用于发光二极管(lightemissiondiode,LED)、激光二极管(lasingdiode,LD)、高电子迁移率晶体管(high...
综述论文1.氮化镓衬底的氢化物气相外延与氮化镓（GaN）的另一种生长方法相比，氢化物气相外延（HVPE）具有很高的生长速率，所以该方法目前是批量生产GaN衬底的唯一方法。中科院半导体所杨少延研究员等综述了商业化的HVPE系统及其生长的GaN
相关论文以《用于高效功率转换的多沟道纳米线器件》（Multi-channelnanowiredevicesforefficientpowerconversion）为题发表在NaturalElectronics。实现1300V高击穿电压，导通电阻降低为1/5，品质因子提升4倍氮化镓电力电子器件目前的主流方案是硅基...
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。
氮化镓电力电子器件目前的主流方案是硅基氮化镓，也就是说，在硅片上外延生长一层氮化镓薄膜，并以此为基础电力电子器件。这种方法大幅降低了氮化镓器件的成本，加速了先进技术的落地和市场化。但是，另一方面也限制了器件的性能。
在硅基氮化镓新材料中，硅不再是功率器件的核心，而是作为新核心氮化镓的支撑底座。新材料的优势在于，不仅发挥了氮化镓的优势，而且可利用原有的硅材质生产线。“开发一条生产线少则千万元，多则上亿元，硅基氮化镓功率器件不用新...
第三代半导体大热，揭秘子露笑科技！,半导体,露笑科技,碳化硅,氮化镓,...就像硅基的半导体，要是没有硅片，那做毛个芯片呢？这三个流派都是90年代开始就开启研究了，起步时间和国外是差不太多的，读者有兴趣可以自行搜索下他们的论文...
17、士兰微（600460）：公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。18、航天发展（000547）：氮化镓芯片的生产与研发是旗下系统研究院的主要任务之一。
氮化镓硅基衬底主要供应商有德国世创、日本信越化学、日本胜高等。日本电信公司研究所、英国IQE和比利时的EpiGaN等则是硅基氮化镓外延片的主要供应商。美国Bridg、日本富士通等公司主要从事功率氮化镓器件代工制造。
硅基氮化镓（GaN-on-Si）：最有前景的衬底技术目前来看，GaN主要有三种类型的衬底，分别是硅基、碳化硅（SiC）衬底和金刚石衬底。金刚石衬底氮化镓（GaN-on-Diamond）：制造较为困难，但是优势明显：在世界上所有材料中金刚石的热导率最高（因此最好能够用来散热）。
硅基氮化镓“射频能量工具包”_电子/电路_工程科技_专业资料。ⅣEP尺DD￡,c『S广告索引广卅I金~tlll科技有限公~l/Momsun...……...…wⅣEP尺DD￡,c『S...
数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统L...
我们知道,半导体激光器的输出波长万方数据单位代码:密级:硕士学位论文论文题目:硅基氮化镓波长可调分布反馈激光器的分析研究王永强诸波光学工程光电子器件工学...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心硅基GaN材料的生长及其优化来自中科院机构知识库喜欢0阅读量:10作者:左朋展开摘要:中国科学院机构知识库...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心硅基GaN光电子及电力电子器件来自掌桥科研喜欢0阅读量:27作者:孙钱,刘建平,张立群,李德尧,张书...
硕硕士士学学位位论论文66050VV硅基GaN电力电子器件的可靠性研究InvestigationonReliabilityof650VGaN-on-SiPowerDevices:MechanismsandCharacterizations作者姓名:李飞雨学科、专...
本论文围绕该V形坑生长机理及其LED三维p-n结特性进行了系列实验与研究,获得了以下创新性研究结果:1.揭示了硅基氮化镓薄膜中V形坑的形成与演变机理。通过对该薄膜图形化生...
10吴真龙;选择性横向外延生长半极性面GaN材料及器件光电性质研究[D];南京大学;2016年中国硕士学位论文全文数据库前10条1张恒;硅基氮化镓材料外延生长的第一性原理研究[D];...
论文目录摘要第1-6页Abstract第6页第一章绪论第10-16页1.1研究的意义第10-12页1.2GaN功率器件及其封装研究现状第12-14页1.3主要研究内容第14-16页第二章Ga...
硅基GaN材料的生长及其优化国密级:中国科学院大学UniversityChineseAcademySciences硕士学位论文2013年05月ByZuoPengAThesisSubmittedTheUniversityChinese...