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光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
第二章BARC抗反射层的应用与工艺优化§2．1使用抗反射层的意义随着半导体工艺的发展，集成电路的尺寸也越来越小，特征线宽也随之变小，2um工艺控制中的问题也接踵而来，特别是到了O．5um的线宽以下的时候，光刻线宽均匀性变差，工艺窗口变形
光刻技术用光刻图形来确定分立器件和集成电路中的各个区域，如注入区、接触窗口和压焊区等。由光刻工艺确定的光刻胶图形并不是最后器件的构成部分，仅是图形的印模，为了出世纪期间的结构图形，还必须再一次把光刻胶图形转移到光刻胶下面组成器件的材料层上。
光刻光刻是集成电路制造过程中最复杂和关键的工艺之一。光刻工艺利用光敏的抗蚀涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀的方法把掩模版图形复制到圆硅片上，为后序的掺杂、薄膜等工艺做好准备。在芯片的制造过程中，会多次反复使用光刻工艺。
分辨率增强技术在保持最佳的显影效果的前提下,明显增艺窗口和减小对于设备精度的要求,是0.13μm光刻工艺的关键环节。.论文重点给出了这些技术的物理模型和相关的适用范围,有助于国内8寸芯片生产厂商大规模量产产品的工艺优化,同时为12寸的生产厂商...
本文采用光刻质量控制方法大概可以分为三类:1.线宽和轮廓控制是光刻质量控制的核心和关键。.本文对线宽的变化机理进行了研究,提出了曝光工艺窗口、晶圆平整度、膜厚、表面反射和驻波效应、显影、掩膜版六个主要影响原因,并进行分析和测试实验,提出了...
3）先进基础工艺类：包括光刻机、真空蒸镀机、核心工业软件、航空设计软件等。以光刻机为例，中国生产的最好的光刻机，精度只有90纳米（今年底有望实现28纳米），而国外已经做到了5纳米。