光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻是芯片制造的核心，是IC制造的最关键步骤，在主流的微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，其成本约占整个硅片成本的三分之一甚至更多。.说道芯片制造，不得不说摩尔定律，摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来...
图一：PDMS芯片微结构工艺PDMS芯片微结构尺寸取决于其注塑模具，普通紫外光刻工艺的尺寸最细可到2um，由于PDMS芯片材质的透气性、透光性和生物相容性，常用于生命科学领域，比如用于细胞培养和研究，下图是用于神经细胞研…
对于KrF化学增幅光刻胶工艺在90nm逻辑工艺时的工艺的应用，主要选择90nm逻辑工艺的三个关键层次（栅层、接触孔层和第一层金属层）的光刻能力进行确认，主要确认其工艺窗口，包括掩膜版误差因子，光学邻近效应等主要的光刻评价指标。
分辨率增强技术在保持最佳的显影效果的前提下,明显增艺窗口和减小对于设备精度的要求,是0.13μm光刻工艺的关键环节。.论文重点给出了这些技术的物理模型和相关的适用范围,有助于国内8寸芯片生产厂商大规模量产产品的工艺优化,同时为12寸的生产厂商...
天津大学硕士学位论文对光刻工艺中在光阻底部增加抗反射涂层（BARC）的研究姓名：袁烽申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程（三）指导教师：张之圣;程高龙20081101摘要中文摘要随着半导体工艺的进一步发展，因此要求光刻工艺中所能达到的线宽越来越小。
本论文设计了一个基于DMD的数字无掩模光刻成像系统,对实验中的影响因素及系统中引入的误差因素进行了详细的分析,并提出了相应的补偿方法及解决方法。.其主要工作如下:第一、在分析目前光刻工艺发展状况的基础上,论证了设计数字无掩模光刻系统的必要性...
第二章BARC抗反射层的应用与工艺优化§2．1使用抗反射层的意义随着半导体工艺的发展，集成电路的尺寸也越来越小，特征线宽也随之变小，2um工艺控制中的问题也接踵而来，特别是到了O．5um的线宽以下的时候，光刻线宽均匀性变差，工艺窗口变形
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司发明人:J・范温格登,C・A・H・朱弗曼斯,P・迪克森展开被引量:4摘要:印刷具有临界尺寸(CD)的特征的光刻工艺中,使用整...
本发明涉及半导体集成电路工艺,尤其涉及一种确定光刻工艺窗口的方法。背景技术:从第一个晶体管问世,半导体技术的发展已经超过五十年,根据moore定律即芯片集...
图2OPC计算出的光刻工艺变化带宽(图中粉色部分)参考文献:[1]韦亚一,超大规模集成电路先进光刻理论与应用,科学出版社,2016,357-358[2]YehSS,ZhuA,ChenJ等.关于OPC图形的...
本文的研究工作侧重在两个方面:优化亚辅助图形添加规则以提高光刻工艺共同焦深;OPC后的检查能有效地捕捉出光刻工艺窗口弱点。主要进行了以下方面的研究工作:一、比较两种亚辅...
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研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型相移掩模,研究65nm线宽的密集线条、半密集线条...
受到芯片制造的各个流程对晶圆表面反射率和平坦度的影响,光刻制程的工艺窗口比较狭窄,晶圆产品一直受到电路图形转移失败导致的低良品率的困扰,其中尤其以晶圆边缘表面高度差...
本论文主要内容和拟解决的问题第三章0.6uPowerMOS工艺硅片边缘上光刻工艺的波动问题研究14第一节PowerMOS边缘离焦问题的基本介绍14第二节边缘离焦...
主要从事光刻工艺和测量的表征和建模等研究工作。共发表学术论文40余篇,申请专利10余项。陈睿博士,中国科学院微电子研究所副研究员,硕士生导师。2015年毕业于美国纽约州立大学布法...