GaNHEMT毫米波器件及建模完成日期2012年12月杭州电子科技大学硕士学位论文GaNHEMT毫米波器件及建模教授2012年12月DissertationSubmittedHangzhouDianziUniversityMasterGaNHEMTMillimeterWaveDeviceModelingCandidateWang...
分类号密级UDCGaNHEMT器件建模与（题名和副题名）（作者姓名）指导教师姓名教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2010.4论文答辩日期2010.5...
1.3论文主要内容及安排本文中，借助于ISETCAD软件的建模和，我们讨论了一些AlGaN/GaNHEMT器件的一些问题，如器件的栅极泄漏电流和可靠性问题，源极电阻的非线性，电制耦合效应等，并针对这些问题对HEMT器件提出了一些优化措施，然后
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
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GaNHEMT无金欧姆接触的应用研究.杜瑞坤.【摘要】：当金属材料与半导体材料相互接触时,由于材料的功函数不同,可以形成两种截然相反的接触:肖特基接触和欧姆接触。.在不同的工艺下,也会出现不同的接触效果。.在半导体器件中,性能优异的欧姆接触一般...
Si基GaNHEMT结构MOCVD生长研究.陈翔.【摘要】：GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能。.AlGaN/GaN异质结构由于存在很强的自发极化和压电极化效应，即使AlGaN势垒层不掺杂，二维电子气浓度也可达到1013cm-2...
基于阿伦尼乌斯模型对某型号CaNHEMT进行了加速寿命试验，结果显示，该功率管MTrF＞2x10h（85￣C，长脉宽，大占空比）。.相关结果可为用户开展GaN功率管的可靠性设计等相关研究提供数据支持。.关键词：GaN功率管；加速寿命实验...
在本篇论文中，主要包括了GaNHEMT的小信号模型建立的方法及对模型准确性的验证。.利用ADS软件建立了修改的Angelov模型，并通过模型萃取方法获得了模型中的各个参数，完成了栅长为0.35um栅宽为2×50um的GaNHEMT在不同偏压下的小信号等效电路。.本模型的适用...
氮化镓HEMT器件温度特性研究.摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。.其中，异质结构的AlGaN/GaN的HEMT器件在微波大功率应用方面以及高温领域应用方面均具有非常明显...
以GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽、电子迁移率高、电子饱和速率高、击穿电场高、热导率高、化学稳定性好和抗辐射能力强等特点,高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)功率器件...
GaNHEMT——5G基站射频功放主流GaN是极稳定的化合物,具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好,使得GaN器件比Si和GaAs有更强抗辐照能力,同...
1.3.1增强型GaN基HEMT器件第19-21页1.3.2垂直型GaN基电力电子器件第21-22页1.3.3GaN基HEMT器件可靠性第22-24页1.4本论文的研究内容及安排第24-26页第二章AlGaN/...
第32卷第12期2012年12月真空科学与技术学报CHINESEJOUALOFVACUUMSCIENCE铷)TECHNOIDGY1089基于A1GaN/GaNHEMT结构的氢气传感器郭智...
西安电子科技大学硕士学位论文AlGaN/GaNHEMT空气桥技术研究姓名:林若兵申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:郝跃20080101随着AIGaN/Ga...
毫米波GaNHEMT物理模型研究-电磁场与微波技术专业论文.docx,摘要摘要II摘要作为第三代半导体材料代表的GaN材料,相对来说具有禁带宽度大、击穿场强高以及...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心AlGaN/GaNHEMT来自mendeley喜欢0阅读量:2作者:YFWu,BPKeller,SKeller,DKapolnek,PKozodoy,SPDen...
高功率ganhemt器件建模研究论文.pdf文档介绍:中国科学技术大学硕士学位论文高功率GaNHEMT器件建模研究作者姓名:学科专业:导师姓名:完成时间:钱伟强电路...
所属期刊栏目:学术论文与技术报告分类号:TN386基金项目:浙江省自然科学基金资助项目页数:共4页页码:12-15引文网络参考文献(6)查看参考关系图[1]胡莎,程知群.应...
《2017年全国微波毫米波会议论文集(下册)》2017年收藏|手机打开毫米波AlGaN/GaNHEMT噪声模型研究毛书漫徐跃杭【摘要】:低噪声放大器是微波/毫米波通信系统中不可或缺...