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制造业增速明显加快，封测业增速相对缓慢，但封测业整体规模处于稳定增长阶段。据中国半导体行业协会统计，我国近几年封测业销售额增长趋势如下表示，从2013年起，销售额已经超过1000亿元，2013年销售额为亿元，同比增长。 过去，国内企业的技术水平和产业规模落后于业内领先的外资、合资企业，但随着时间的推移，国内企业的技术水平发展迅速，产业规模得到进一步提升。业内领先的企业，长电科技、通富微电、华天科技等三大国内企业的技术水平和海外基本同步，如铜制程技术、晶圆级封装，3D堆叠封装等。在量产规模上，BGA封装在三大国内封测企业都已经批量出货，WLP封装也有亿元级别的订单，SIP系统级封装的订单量也在亿元级别。长电科技2013年已跻身全球第六大封测企业，排名较2012年前进一位。其它企业也取得了很大发展。 目前，国内三大封测企业凭借资金、客户服务和技术创新能力，已与业内领先的外资、合资企业一并位列我国封测业第一梯队;第二梯队则是具备一定技术创新能力、高速成长的中等规模国内企业，该类企业专注于技术应用和工艺创新，主要优势在低成本和高性价比;第三梯队是技术和市场规模均较弱的小型企业，缺乏稳定的销售收入，但企业数量却最多。 为了降低生产成本，以及看重中国内巨大且快速增长的终端电子应用市场，国际半导体制造商和封装测试代工企业纷纷将其产能转移至中国，拉动了中国半导体制封装产业规模的迅速扩大。目前，全球型IDM厂商和专业封装代工厂大都在中国大陆建有生产基地，由此造成我国外资企业占比较高。同时，经过多年的努力，国内控股的封测企业得到了较快的发展，正在逐步缩小与国际厂商的技术、市场方面的差距。部分内资封装测试企业已经在国内发行股票上市。 四、集成电路封装的发展趋势 目前我国封测业正迎来前所未有的发展机遇。首先，国内封测业已有了一定的产业基础，封装技术已接近国际先进水平，2013年我国集成电路封测业收入排名前10企业中，已有3家是国内企业。近年来国家出台的《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)，2014年6月国务院印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》等有关政策文件，进一步加大了对集成电路产业的支持，国内新兴产业市场的拉动，也促进了集成电路产业的大发展。海思半导体、展讯、锐迪科微电子、大唐半导体设计有限公司等国内设计企业的崛起将为国内封测企业带来更多的发展机会。 此外，由于全球经济恢复缓慢，加上人力成本等诸多原因，国际半导体大公司产业布局正面临大幅调整，关停转让下属封测企业的动作频繁发生，如：日本松下集团已将在印度尼西亚、马来西亚、新加坡的3家半导体工厂出售。日本松下在中国上海和苏州的封测企业也在寻求出售或合作伙伴。英特尔近期也表示，该公司将在2014年的二、三两个季度内，将已关闭工厂的部分业务转移至英特尔位于中国等地现有的组装和测试工厂中。欧美日半导体巨头持续从封测领域退出，对国内封测业的发展也非常有利。 但是，国内封测业的发展也面临制造业涨薪潮(成本问题)、大批国际组装封装业向中国大陆转移(市场问题)、整机发展对元器件封装组装微小型化等要求(技术问题)等重大挑战。国内封测企业必须通过增强技术创新能力、加大成本控制、提升管理能力等措施，才能在瞬息万变的市场竞争中立于不败之地。 目前，集成电路封装根据电路与PCB等系统板的连接方式，可大致分为直插封装、表面贴装、高密度封装三大类型。国内封装业主要以直插封装和表面贴装中的两边或四边引线封装为主，这两大封装类型约占我国70%的市场份额。国内长电科技、通富微电、华天科技等企业已成功开发了BGA、WLCSP、LGA等先进封装技术，另有部分技术实力较强，经济效益好的企业也正在加大对面积阵列封装技术的研发力度，满足市场对中高端电路产品的需求。随着电子产品继续呈现薄型化、多功能、智能化特点，未来集成电路封装业将向多芯片封装、3D封装、高密度、薄型化、高集成度的方向发展。 由于我国封测产业已具备一定基础，随着我国集成电路设计企业的崛起和欧美日国际半导体巨头逐渐退出封测业，我国封测产业面临前所未有的发展机遇，同时也需要应对各种挑战。展望未来，国内封测企业必须通过增强技术创新能力、加大成本控制、提升管理能力等措施，才能在瞬息万变的市场竞争中立于不败之地。我国的封装业发展前途一片光明。 参考文献： 《微电子器件封装——封装材料与封装技术》 周良知 编著 北学工业出版社 《集成电路芯片封装技术（第2版）》 李可为 编著 电子工业出版社 《集成电路封装行业发展现状》 中商情报网 网络文献 《未来集成电路封测技术趋势和我国封测业发展》 电子产品世界 网络文献 《行业数据：集成电路封测技术及我国封测业发展趋势解读》 电子工程网 网络文献你好，本题已解答,如果满意请点右下角“采纳答案”。
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由于 集成电路 设计水平和工艺技术的提高，集成电路的规模越来越大，整个系统可以集成到一个 芯片 上（目前一个芯片上可以集成108个晶体管）。这使得将于单芯片集成到由具有多个硬件和软件功能的电路组成的系统（或子系统）中成为可能。90年代末，集成电路进入了系统级芯片（SOC）时代。 1980年代，专门集成电路以标准逻辑门为基本单元，由处理线提供给设计师免费使用，以缩短设计周期：1990年代末进入系统级芯片时代。在芯片上，它包括cpu、dsp、逻辑电路、模拟电路、射频电路、存储器和其他电路模块以及嵌入式软件，并相互连接，形成完整的系统。 由于系统设计日益复杂，设计行业中已有工厂专门开发具有这些功能的各种集成电路模块（称为知识产权核心或IP核心）。这些模块通过授权提供给其他系统设计人员进行有偿使用。设计人员将使用IP核作为设计的基本单元。IP核的重用不仅缩短了系统设计周期，而且提高了系统设计的成功率。 研究表明，与由IC构成的系统相比，由于SOC设计能够综合考虑整个系统的各种条件，在相同的工艺条件下，可以达到更高的系统指标。21世纪将是SOC技术真正快速发展的时期。 近年来，由于整机的便携式开发和系统小型化的趋势，需要在芯片上集成更多不同类型的元件，如Si-CMOSIC，GaAs-RFIC，各种无源元件，光机械设备，天线，连接器。和传感器等单一材料和标准工艺的SOC是有限的。近年来，基于SOC快速开发的系统级封装（SiP）不仅可以在一个封装中组装多个芯片，而且可以堆叠和集成不同类型的器件和电路芯片。复杂，完整的系统。 与SOC相比，SIP具有： （一）可以提供更多的新功能； （2）各工序兼容性好； （3）灵活性和适应性强； （4）低成本； （5）易于分块测试； （6）开发周期短等优点。 SOC和SIP互为补充。一般认为，SOC主要用于更新较慢、对军事装备性能要求较高的产品。SIP主要用于更换周期较短的消费品，如手机。SIP的合格率和计算机辅助设计有待进一步提高。 由于液滴的复杂性，对液滴的设计和工艺技术提出了更高的要求。在设计方面，需要由系统工程师、电路设计、布局设计、硅技术设计、测试和制造等工程师组成的团队共同努力，以达到最佳的性能、最小的尺寸和最小的成本。首先，采用计算机辅助仿真设计，对芯片、电源和被动组件的参数和布局进行了设计。高密度线路的设计应考虑消除振荡、过冲、串扰和辐射。考虑散热和可靠性；选择衬底材料（包括介电常数、损耗、互连阻抗等）；制定线宽、间距和穿孔等设计规则；最后设计主板的布局。 SIP采用了近十年来迅速发展的触发器焊接互连技术。触发器焊接互连具有直流电压低、互连密度高、寄生电感小、热、电性能好等优点，但成本高于焊丝。SIP的另一个优点是能够集成各种无源组件。无源元件在集成电路中的应用日益增多。例如，移动电话中的无源元件与有源元件的比例约为50：1。采用近年来发展起来的低温共烧多层陶瓷（LTCC）和低温共烧铁氧体（LTCF）技术，即在多层陶瓷中集成电阻、电容、电感、滤波器和谐振器等无源元件，就像将有源器件集成到硅片中一样。此外，为了提高芯片芯核在封装中的面积比，采用了两个以上的芯片叠层结构，并在Z方向上中进行了三维集成。开发了层合芯片之间的超薄柔性绝缘层底板、底板上的铜线、通孔互连和金属化等新技术。 SIP以其快速进入市场的竞争力、更小、更薄、更轻、更多的功能，在业界得到了广泛的应用。它的主要应用是射频/无线应用、移动通信、网络设备、计算机和外围设备、数字产品、图像、生物和MEMS传感器。 到2010年，SiP的布线密度预计为6000cm / cm 2，热密度为100W / cm 2，元件密度为5000 / cm 2，I / O密度为3000 / cm 2。系统级封装设计也正朝着SOC的自动布局和布线等计算机辅助自动化发展。英特尔最先进的SiP技术将五个堆叠式闪存芯片集成到超薄封装中。东芝的SiP目标是将手机的所有功能集成到一个包中。日本最近预测，如果全球五分之一的LSI系统采用SiP技术，SiP市场可达到万亿日元。凭借其进入市场的优势，SiP将在未来几年内以更快的速度增长。在加快集成电路设计和芯片制造发展的同时，中国应加大系统级封装的研发力度。
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工程硕士的学位论文的选题可以直接来源于生产实际或具有明确的生产背景和应用价值。学位论文选题应具有一定的先进性和技术难度，能体现工程硕士研究生综合运用科学理论、方法和技术手段解决工程实际问题的能力。学位论文选题可以是一个完整的集成电路工程项目，可以是工程技术研究专题，也可以是新工艺、新设备、新材料、集成电路与系统芯片新产品的研制与开发。学位论文应包括：课题意义的说明、国内外动态、设计方案的比较与评估、需要解决的主要问题和途径、本人在课题中所做的工作、理论分析、设计计算书、测试装置和试验手段、计算程序、试验数据处理、必要的图纸、图表曲线与结论、结果的技术和经济效果分析、所引用的参考文献等，与他人合作或前人基础上继续进行的课题，必须在论文中明确指出本人所做的工作。
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