半导体学报英文版编辑

物理学报》：发展与成就《物理学报》是由中国物理学会主办的，创刊于1933年，原名“Chinese Journal of Physics”，创刊初期用英、法、德三国文字发表论文。这是中国出版的第一份物理类综合性学术期刊，1953年易为现名的中文期刊。《物理学报》首任主编为我国第一代著名物理学家严济慈与丁燮林，随后担任主编的有吴大猷、王竹溪和黄祖洽，现任主编是原国家自然科学基金会副主任、中国原子能科学研究院研究员王乃彦院士。70余年的变迁，《物理学报》从初创到成长、壮大，特别是改革开放以来的发展，从一个侧面展现了我国现代物理学崛起与发展的梗概和脉络。现在，《物理学报》已成为目前中国历史最悠久、在国内外发行量最大、影响面最广的物理类学术期刊，赢得了国内外物理学界的普遍认同和信誉，受到包括诺贝尔物理奖获得者杨振宁教授在内的一些著名物理学家的高度评价，被认为是“中国权威性的物理刊物”，奠定了它在中国科技期刊中的重要地位。由中国科技信息所统计， 2003年《物理学报》被SCI-CD，SCI-E，EI-P，CA，INSPEC，JICST，AJ和MR等检索系统收录。根据SCI数据库统计，2003年《物理学报》的影响因子为，总被引频次为2410次。特别是该统计显示，在本学科国际同类期刊中，其影响因子和总被引频次位于中上水平，在68种国际上综合性物理类期刊中，《物理学报》的总被引频次和影响因子分别位居第23和第28。其中，本刊的总被引频次居中国物理类期刊第1位、中国科技期刊第1位，影响因子为中国物理类期刊第2位。这几年来，本刊继续以提高质量为增强核心竞争力的主线，在办刊理念、学术品位、编辑质量、出版发行与宣传，以及运用现代信息技术等方面，进一步加快与国际接轨的步伐。特别是进一步提高期刊学术水准，《物理学报》面向国际学科发展的前沿领域，以国家知识创新体系的建设为依托，跟踪热点课题加强组织和征集优秀稿件，进一步提高学术论文的创新性、导向性和权威性。主要刊登由国家知识创新体系组成的国家科技攻关项目、国家“863”计划项目、国家“973”基础研究项目，以及国家自然科学基金项目等一批最新科研进展或取得科技成果的优秀论文。其中，在2004年《物理学报》刊登的论文中，基金资助论文比例为。这表明《物理学报》吸收前沿科学和高质量学术论文的能力在不断增强，提高了期刊自身的整体学术水平。据有关部门的不完全统计，《物理学报》被引相对较多的论文，其学术内容按国际物理学分类来看，主要涉及混沌系统的理论和模型、量子光学、流体力学、量子论、离散系统的经典力学、黑洞、点阵理论和统计学、介观体系和量子干涉、表面电子态、聚合物、薄膜与低维结构、光电效应、固体团簇结构与碳纳米管及纳米结构材料、超导电性、分子运动论、辐射的发射与吸收及散射、自旋电子学、磁熵变材料等研究领域，其中反映了当今物理学研究中的热点问题和新的方向。目前，对国内外发行和交换约1700份，光盘发行量约为600多个平台。2003年《物理学报》在科技部西南信息中心期刊网站中论文下载为3080篇次；在清华同方数据中，本刊2003年web下载余万篇次，印刷版总被引频次2845次，其web扩散系数为倍，在物理类期刊中，下载论文篇次居第1位。该统计显示，《物理学报》2003年即年指标，web影响因子。本刊2003年总被引频次、影响因子均居物理类期刊第1位。并在2001-2003年中，《物理学报》平均被引频次和影响因子均居物理类期刊第1位。近几年来，《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖，2001、2002、2003年度百种杰出期刊奖，以及中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项。2003年10月《物理学报》创刊70周年。中国科学技术协会主席周光召题词祝贺：“格物唯实，推理求真”。全国人大副委员长、中国科学院院长路甬祥的题词为：“格物致知、勇创一流”。题词的著名科学家还有彭桓武、黄昆、杨振宁、李政道、冯端、陈佳洱、李荫远、黄祖洽、白春礼、王乃彦、赵忠贤、杨国桢、李方华、梁敬魁等。《物理学报》主管部门与主办单位及一些科研机构和高等学校也以各种方式表示祝贺。这些都表明《物理学报》的建设与发展始终得到物理界及各方面的高度重视与全力支持。其中除杨振宁教授上述对《物理学报》的评价外，我国著名超导专家赵忠贤院士指出：“《物理学报》是我国少数几个具有权威发性的高层次刊物之一，刊载的论文大多是在国内外处于领先地位的科研成果，审稿制度严格，对论文质量严格把关，编辑出版严谨细致认真”。“《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术期刊，是进行学术交流的重要刊物之一，一直受到国际物理学界专家的注目和好评。《物理学报》创刊71年来为繁荣我国的科学事业做出了重要贡献”。原国家自然科学基金委主任、中国物理学会理事长、北京大学校长陈佳洱院士称：《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术刊物，所登的许多论文达到国际先进水平，编辑出版质量高，是我国少数几个具有权威性的高层次刊物之一，受到国际物理学界专家的注目和好评。当今，科技期刊已成为一个国家科技发展和社会经济文化进步的重要标志。可以看到，面对我国入世后激烈的挑战，中国期刊的使命更加艰巨。时代呼唤期刊工作者与科学家、出版社和信息系统团结起来相互支持合作，在我国政府及其主管部门的组织的协调下，共同营造我国科技期刊发展的优良环境，为创办国际一流的学术刊物作出积极贡献，让中国科技期刊加快融入国际学术交流。《半导体学报》简介 《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。 《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。

可以登录ei 中国网站查询最新的收录名录，2013年删除了好多期刊，包括大连理工大学学报等好几个大学学报都给取消收录了，同时也新增了一些收录，比如长安大学学报（自然科学版）

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医学期刊常规来说只分为 SCI 核心期刊 和普通期刊。但是有一些省份会自己把期刊划分为一类二类三类，比如浙江省，一类期刊是国家级的核心期刊，二类的是除国家级核心期刊之外的其它核心期刊，三类的就是普通期刊。我看到：通知：部分论文取消、条件放宽。查阅各省最新职称政策可搜：全国论文办郑州郑密路20号办（原18号。在百度、360、搜狗58-68页。下同）、高级职称论文全国办郑州郑密路20号办。搜：高级职称（高级经济师、农经师、会计师、审计师、统计师、政工师、工程师、人力资源管理师、教师）论文（论文选题、论文范文、论文辅导、报考条件、评审条件、考试科目）郑州郑密路20号全国办、中国职称大学郑州郑密路20号全国办等。即 搜：高级经济师论文郑州郑密路20号全国办、高级经济师论文选题郑州郑密路20号全国办、高级经济师论文范文郑州郑密路20号全国办、高级经济师论文辅导郑州郑密路20号全国办、高级经济师报考条件郑州郑密路20号全国办、高级经济师评审条件郑州郑密路20号全国办、高级经济师考试科目郑州郑密路20号全国办。后面把“高级经济师”依次换成“高级会计师、高级农经师、高级审计师、高级统计师、高级政工师、高级工程师、高级教师、高级人力资源管理师等”再搜索。，还有河南、陕西、四川 等地也把期刊分为A类B类或者一类二类，也有的是一类为中文核心或者中华牌，二类为科技核心

1935年1月1曰出生于浙江宁波镇海县，1941年开始在柴桥小学学习，1947年就读于宁波中学，1953年考入北京大学，1958年毕业后留校任教。现任北京大学教授、博士生导师、中国科学院院士，北京大学微电子学研究所所长，中国电子学会常务理事，《半导体学报》和《电子学报》（英文版）副主编，《微电子学科学丛书》主编，北京大学软件与微电子学院学术委员会主任。国家产业政策专家咨询委员会委员，信息产业部科技委委员(电子)，国际固态电路会议（ISSCC）远东程序委员会委员，美国IEEEFellow和英国IEEFellow等。70年代主持研制成功我国第一块1024位MOS随机存储器，是我国硅栅N沟道技术开拓者之一，此后在多晶硅薄膜物理和氧化动力学研究方面提出了新的多晶硅氧化模型和氧化动力学工程应用方程和特征参数。被国际同行认为在微电子领域处理了对许多工作者都有重要意义的课题，“对现实工艺过程研究具有重要的指导意义。”在绝缘衬底上生长硅单晶薄膜(SiliconOnInsulator-SOI)和TFSOI/CMOS电路研究中，发现了磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用。 在SOI/CMOS器件模型和电路模拟工作方面，提出了SOI器件浮体效应模型和通过改变器件参量抑制浮体效应的工艺设计技术，扩充了SPICE模拟软件。在SOI/CMOS新结构电路研究方面，开发了新的深亚微米器件模型和电路模拟方法，研究成功了多种新型器件和电路。在MOS绝缘层物理与小尺寸器件物理研究，与合作者一起提出新的预测深亚微米器件可靠性的分析和测试方法。首次在国际上实现了有关陷阱电荷三个基本参量(俘获截面、面密度和矩心)的直接测量和在线检测。在80年代和90年代分别研究亚微米/深亚微米CMOS复合栅结构和多晶硅发射极超高速电路，与合作者一起在理论上提出了一个新的、能够更准确反映多晶硅发射极晶体管物理特性的解析模型，被国际同行列为国际上有代表性的模型之一。对中国独立自主发展超大规模集成电路产业和改变我国双极集成电路技术落后面貌均有重要意义。在1986-1993年任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，使我国继美国、日本、欧共体之后进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列；在研究集成电路发展规律基础上提出了我国集成电路产业和设计业的发展方向；组织参与了国家微电子七·五，八·五国家科技攻关。现从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究，发表科研论文160多篇，出版著作6部，现有16项重大科技成果。获全国科学大会奖、国家发明奖、国家教委科技进步一等奖、光华科技基金一等奖等共16项国家级和部委级奖励。